IR1166S
Electrical Characteristics
The electrical characteristics involve the spread of values guaranteed within the specified supply voltage and
junction temperature range T J from – 25° C to 125°C. Typical values represent the median values, which are
related to 25°C. If not otherwise stated, a supply voltage of V CC =15V is assumed for test condition.
Supply Section
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Remarks
Supply Voltage Operating Range
V CC
11.4
18
V CC Turn On Threshold
V CC ON
9.8
10.6
11.3
V CC Turn Off Threshold
(Under Voltage Lock Out)
V CC Turn On/Off Hysteresis
V CC UVLO
V CC HYST
8.4
1.4
9
1.57
9.7
1.7
V
Operating Current
Quiescent Current
Start-up Current
Sleep Current
I CC
I QCC
I CC START
I SLEEP
8
47
1.7
92
145
10
65
2.2
200
200
mA
μ A
C LOAD =1nF, fsw = 400kHz
C LOAD =10nF, fsw = 400kHz
V CC =V CC ON - 0.1V
V EN =0V, V CC =15V
Enable Voltage High
Enable Voltage Low
Enable Pull-up Resistance
V ENHI
V ENLO
R EN
2.15
1.2
2.71
1.6
1.5
3.2
2
V
M ?
GBD
Comparator Section
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Remarks
-7
-3
0
OVT = 0V, V S =0V
Turn-off Threshold
Turn-on Threshold
V TH1
V TH2
-15
-23
-150
-10.3
-18.7
-7
-15
-50
mV
OVT floating, V S =0V
OVT = V CC , V S =0V
Hysteresis
V HYST
63
Input Bias Current
Comparator Input Offset
Input CM Voltage Range
I IBIAS1
I IBIAS2
V OFFSET
V CM
-0.15
1
23
7.5
100
2
2
μ A
mV
V
V D = -50mV
V D = 200V
GBD
One-Shot Section
Parameters
Blanking pulse duration
Reset Threshold
Hysteresis
Symbol
t BLANK
V TH3
V HYST3
Min.
9
Typ.
15
2.5
5.4
40
Max.
25
Units
μ s
V
mV
Remarks
V CC =10V - GBD
V CC =20V - GBD
V CC =10V - GBD
6
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
相关PDF资料
IR11672ASPBF IC MOSFET DRIVER 200V 8-SOIC
IR1167ASTRPBF IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC
IR11682STRPBF IC MOSFET DRIVER DUAL 200V 8SOIC
IR1168SPBF IC MOSFET DRIVER DUAL 200V 8SOIC
IR1176STR IC DRIVER RECT SYNC 5V 4A 20SSOP
IR2010SPBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC
IR2011PBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP
IR20153STRPBF IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8SOIC
相关代理商/技术参数
IR11671ASPBF 功能描述:功率驱动器IC ADV Smart REC 200V 10.7 Vout 60ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR11671ASTRPBF 功能描述:功率驱动器IC SmartRectifier Cntrl IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR11672AS 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:ADVANCED SMART RECTIFIER TM CONTROL IC
IR11672AS_11 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:ADVANCED SMART RECTIFIER TM CONTROL IC
IR11672ASPBF 功能描述:功率驱动器IC ADV Smart REC 200V 10.7 Vout 60ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR11672ASTRPBF 功能描述:功率驱动器IC SmartRectifier Cntrl IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR1167ASPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CHAN 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:SmartRectifier™ 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR1167ASPBF_09 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SmartRectifierTM CONTROL IC